北方華創(chuàng)RRAM設(shè)備解決方案
日前，全球首顆采用嵌入式RRAM（Resistive Random Access Memory，阻變存儲器）存儲技術(shù)AMOLED顯示驅(qū)動芯片完成開發(fā)和認(rèn)證。該新型嵌入式RRAM顯示驅(qū)動芯片由北方華創(chuàng)提供刻蝕和薄膜設(shè)備及工藝解決方案，存儲器設(shè)計公司?？莆㈦娮犹峁┘夹g(shù)支持。
據(jù)介紹，嵌入式RRAM顯示驅(qū)動芯片，突破了內(nèi)置SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）+外置NOR Flash（NOR型閃存）的傳統(tǒng)方案，顯著提高補償參數(shù)讀取速度，降低成本和功耗，并優(yōu)化空間利用，解決了顯示驅(qū)動芯片行業(yè)中長期存在的生產(chǎn)成本高、效率低、面積大的痛點問題。嵌入式RRAM顯示驅(qū)動芯片能夠在保證高質(zhì)量顯示效果的同時，大幅提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品良率，為AMOLED顯示/觸控以及更先進(jìn)顯示技術(shù)提供更為高效和經(jīng)濟的解決方案。
不同于傳統(tǒng)存儲芯片，RRAM對芯片制造過程中的低溫沉積、低損傷刻蝕等工藝提出了更嚴(yán)格的要求。作為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，北方華創(chuàng)提供了包含刻蝕、薄膜在內(nèi)的關(guān)鍵RRAM設(shè)備及工藝解決方案。在薄膜沉積方面，北方華創(chuàng)eVictor系列薄膜沉積系統(tǒng)，在同一平臺上集成多類薄膜加工腔室，單系統(tǒng)可實現(xiàn)包括基底清潔、電極沉積、阻變材料沉積工藝，顯著提高生產(chǎn)效率，改善界面態(tài)，有效提升RRAM存儲單元的性能一致性、芯片良率和可靠性；在刻蝕方面，北方華創(chuàng)NMC612系列設(shè)備加工能力出色，新型等離子體產(chǎn)生系統(tǒng)可保證RRAM器件低損傷，多區(qū)溫控靜電卡盤可實現(xiàn)晶圓精準(zhǔn)溫度控制，良好的控制均勻性、精準(zhǔn)的電路圖案轉(zhuǎn)移、出色的反應(yīng)腔內(nèi)顆粒污染控制能力，可提高產(chǎn)品良率、延長設(shè)備維護(hù)周期、提升設(shè)備可靠性和穩(wěn)定性。
展望未來，伴隨AI IoT（智能物聯(lián)網(wǎng)）、LLM（大語言模型）等技術(shù)的進(jìn)步，采用RRAM作為嵌入式存儲的OTP（一次性可編程存儲器）、MTP（多次可編程存儲器）、SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和eNVM（嵌入式非易失性存儲器）已成為業(yè)界趨勢，將為人工智能與機器學(xué)習(xí)、智能移動終端、可穿戴設(shè)備、車載顯示系統(tǒng)及未來眾多應(yīng)用領(lǐng)域帶來無限發(fā)展機遇。
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